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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
62
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
1,388.0
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
5300
4200
En 1.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
52
62
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
3,575.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
1,388.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
5300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
518
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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