RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
52
En -126% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
2660
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link