RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
52
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
2235
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link