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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
62
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
1,388.0
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
5300
4200
Autour de 1.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
52
62
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
3,575.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
1,388.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
5300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
518
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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