RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
72
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
72
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
1817
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link