RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
75
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.1
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
75
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
1763
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link