RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
25.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
19.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
25.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
19.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
4167
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link