RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
25.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
4167
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link