RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
64
En 59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
64
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2067
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link