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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
48
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
26
48
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
8.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
1420
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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