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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
1858
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
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