RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2608
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link