RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
48
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
48
Velocità di lettura, GB/s
12.6
8.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
1420
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link