Comparación de la memoria RAM Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Puntuación global

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

17 23

En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

22.8 18.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.4 15.0

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 10600

En 2.01 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3391 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns