Comparação RAM Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Pontuação geral

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

17 23

Por volta de 26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

22.8 18.1

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.4 15.0

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Maior largura de banda de memória, mbps

21300 10600

Por volta de 2.01 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3391 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns