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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
41
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2394
2384
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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