Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 41

Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.3 13.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.9 8.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 26
Скорость чтения, Гб/сек

13.3 14.3
Скорость записи, Гб/сек

8.8 8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2394 2384

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB

Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB

Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston KHYXPX-MIE 8GB

Kingston KHYXPX-MIE 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

модули RAM