RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
42
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
3879
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link