RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
42
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
22
读取速度,GB/s
13.2
19.6
写入速度,GB/s
9.4
17.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
3879
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB RAM的比较
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link