RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
3257
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link