RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
3337
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link