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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Puntuación global
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Puntuación global
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Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 9.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.7 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 41
    En -52% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    41 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 9.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.7 left arrow 6.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2366 left arrow 1767

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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