Comparación de la memoria RAM Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Puntuación global

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

31 41

En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

20.5 13.9

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.5 9.7

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 12800

En 2 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2366 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns