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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
41
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
3649
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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