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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Compara
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En 37% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
46
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2243
2660
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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