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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
65
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
4.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
26
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
4.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
985
3124
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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