RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
99
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.4
2,935.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
99
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
1386
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link