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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Puntuación global
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
36
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
21
Velocidad de lectura, GB/s
14.8
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2481
3148
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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