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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
36
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
21
读取速度,GB/s
14.8
18.3
写入速度,GB/s
8.7
14.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3148
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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