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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Compara
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
55
En 53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
55
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
15.7
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3867
2701
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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