RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
49
En -81% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3342
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link