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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
35
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2126
2917
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
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