RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
35
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
34
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
11.8
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2126
2917
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link