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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
34
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
22
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2960
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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