RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
34
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
22
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
5.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2960
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link