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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
35
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2177
3183
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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