RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
10.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2177
1735
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link