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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
4.5
4.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
7.7
4.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
4.8
7.7
Velocidad de escritura, GB/s
4.5
4.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1046
1175
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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