RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
65
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2478
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link