RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
65
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
10.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2478
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link