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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
75
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
1,608.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
4200
3200
En 1.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
55
75
Velocidad de lectura, GB/s
3,189.0
1,943.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,608.0
1,672.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
4200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
4-4-4-12 / 533 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
501
301
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
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