Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs Kingston KVR533D2N4 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs Kingston KVR533D2N4 512MB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

55 75

Intorno 27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

3 1

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

1,672.1 1,608.0

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

4200 3200

Intorno 1.31 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock

3-3-3-12 / 400 MHz 4-4-4-12 / 533 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

501 301

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns