Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB vs Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB vs Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

54 62

En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

1,926.6 1,785.9

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

6400 5300

En 1.21 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

555 662

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns