RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
36
En 33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3050
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link