RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
49
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
49
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2413
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link