RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
49
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2413
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link