RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
57
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
32
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
2974
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO M418039 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link