RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Compara
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Puntuación global
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2388
2808
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link