Comparación de la memoria RAM STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Puntuación global

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

37 63

En -70% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.6 1,447.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 5300

En 3.62 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

478 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns