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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
4039
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
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