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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB

Puntuación global
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB

Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 43
    En 37% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 7.5
    Valor medio en las pruebas
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.7 left arrow 11.5
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 43
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.5 left arrow 11.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 7.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1756 left arrow 2140

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM

TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB Comparaciones de la memoria RAM

G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Memoria RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Memoria RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Memoria RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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